OPTO-EDU A63.7190 300000x Elektronenmikroskop mit kritischer Dimension
-
Oblaten-GrößeA63.7190-68: 6/8 Zoll
-
Entschließung2.5nm (Acc=800V)
-
Beschleunigungsspannungen00,5-1,6 KV
-
WiederholbarkeitStatisch & Dynamisch ±1% oder 3nm (3 Sigma)
-
Sondestrahlstrom3 ~ 30 pA
-
MessbereichFOV 0,1 bis 2,0 μm
-
HerkunftsortChina
-
MarkennameCNOEC, OPTO-EDU
-
ZertifizierungCE, Rohs
-
ModellnummerA63.7190
-
Dokument
-
Min Bestellmenge1 Prozent
-
PreisFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
Verpackung InformationenKarton-Verpackung, für den Export Transport
-
Lieferzeit5 bis 20 Tage
-
ZahlungsbedingungenT/T, Westverband, Paypal
-
Versorgungsmaterial-Fähigkeit5000 PC Monat
OPTO-EDU A63.7190 300000x Elektronenmikroskop mit kritischer Dimension
|
Ein Critical Dimension Scanning Electron Microscope (CD-SEM) ist ein spezialisiertes SEM, das zur Messung der Abmessungen winziger Merkmale auf Halbleiterwafern, Fotomasken und anderen Materialien verwendet wird.Diese Messungen sind entscheidend für die Gewährleistung der Genauigkeit und Präzision der hergestellten elektronischen Geräte.
- Ich weiß.Kompatibel mit 6/8 Zoll Wafer Größe, Vergrößerung 1000x-300000x - Ich weiß.Auflösung 2,5 nm (Acc=800V), Beschleunigungsspannungen 500V-1600V - Ich weiß.Wiederholbarkeit statisch und dynamisch ± 1% oder 3 nm ((3 Sigma), Sondestrahlstrom 3 ~ 30pA - Ich weiß.Hochgeschwindigkeits-Wafer-Transfer-Systemdesign für Halbleiterchips der 3. Generation - Ich weiß.Erweiterte Elektronoptiksysteme und Bildverarbeitung, einschließlich Kühlgerät, Trockenpumpe |
|
▶Wesentliche Merkmale CD-SEMs verwenden einen elektronenstrahl mit geringer Energie und verfügen über eine verbesserte Vergrößerungskalibrierung, um genaue und wiederholbare Messungen zu gewährleisten.und Seitenwandwinkel von Mustern. |
|
▶Zweck CD-SEMs sind für die Messtechnik in der Halbleiterindustrie unerlässlich, da sie helfen, die kritischen Abmessungen (CDs) von Mustern zu messen, die während des Lithographie- und Ätzprozesses entstehen.CDs beziehen sich auf die kleinsten Merkmalgrößen, die auf einer Wafer zuverlässig hergestellt und gemessen werden können. |
|
▶Anwendungen Diese Geräte werden in den Fertigungslinien elektronischer Geräte eingesetzt, um die Größengenauigkeit der verschiedenen Schichten und Merkmale zu gewährleisten, aus denen ein Chip besteht.Sie spielen auch eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung und Kontrolle von Prozessen., um Probleme zu erkennen und zu beheben, die während des Herstellungsprozesses auftreten können.
▶Wichtigkeit Ohne CD-SEMs würde die moderne Mikroelektronik Schwierigkeiten haben, das hohe Maß an Präzision und Leistung zu erreichen, das von der Industrie gefordert wird.Sie sind unerlässlich, um die Zuverlässigkeit und Funktionalität moderner elektronischer Geräte zu gewährleisten.. |
|
▶Technische Veränderungen Da sich die Lithographie-Technik weiterentwickelt und die Größe der Merkmale immer kleiner wird, entwickeln sich die CD-SEM ständig weiter, um den Anforderungen der Industrie gerecht zu werden.Neue Technologien und Fortschritte im Bereich CD-SEM werden entwickelt, um den Herausforderungen der Messung zunehmend komplexer Muster zu begegnen |
| A63.7190 Elektronenmikroskop mit kritischer Dimension (CDSEM) | ||
| Wafergröße | A63.7190-68: 6/8 Zoll | A63.7190-12- Ich weiß nicht. |
| Entschließung | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| Beschleunigungsspannungen | 00,5-1,6 KV | 0.3-2.0KV |
| Wiederholbarkeit | Statik und Dynamik ± 1% oder 3 nm ((3 Sigma) | Statik und Dynamik ± 1% oder 0,3 nm ((3 Sigma) |
| Sondestrahlstrom | 3 ~ 30 pA | 3 bis 40 pA |
| Messbereich | FOV 0,1 bis 2,0 μm | FOV 0,05 bis 2,0 μm |
| Durchsatz | > 20 Waffeln/Stunde, | > 36 Waffeln/Stunde, |
| 1 Punkt/Chip, | 1 Punkt/Chip, | |
| 20 Chips/Wafer | 20 Chips/Wafer | |
| Vergrößerung | 1Kx bis 300Kx | 1Kx bis 500Kx |
| Genauigkeit der Bühne | 0.5 μm | |
| Elektronenquelle | Schottky-Wärmefeldemitter | |
| Vergleich der wichtigsten CDSEM-Modelle auf dem Markt | |||||
| Spezifikation | Hitachi | Hitachi | Hitachi | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 | A63.7190-12 | |
| 1. Wafergröße | 6/8 Zoll | 8 Zoll / 12 Zoll | 8 Zoll / 12 Zoll | 6/8 Zoll | 12 Zoll |
| 2. Entschließung | 5 nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3Beschleunigungsspannung | 500-1300 V | 300 bis 1600 V | 300 bis 1600 V | 500 bis 1600 V | 300 bis 2000 V |
| 4. Wiederholbarkeit (statisch und dynamisch) | ± 1% oder 5 nm ((3 sigma) | ± 1% oder 2 nm ((3 sigma) | ± 1% oder 2 nm ((3 sigma) | ± 1% oder 3 nm ((3 sigma) | ± 1% oder 0,3 nm ((3 sigma) |
| 5IP-Bereich (Sonde-Strom) | 1 bis 16 pA | 3-50pA | 3-50pA | 3 bis 30 pA | 3 bis 40 pA |
| 6. FOV-Größe | - | 50 nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7- Durchsatz. | 26 Waffeln/Stunde, | 24 Waffeln/Stunde, | 24 Waffeln/Stunde, | > 20 Wafer/Stunde, | 36 Wafer/Stunde, |
| 1 Punkt pro Chip, | 1 Punkt pro Chip, | 1 Punkt pro Chip, | 1 Punkt pro Chip, | 1 Punkt pro Chip, | |
| 5 Chips pro Wafer | 20 Chips pro Wafer | 20 Chips pro Wafer | 20 Chips pro Wafer | 20 Chips pro Wafer | |
Unsere Produkte werden auf der ganzen Welt verkauft. Sie können sich auf den gesamten Prozess unserer Produkte verlassen.